30.4 – 18.5. 2018

Európske solárne dni na Slovensku/ Bardejovské solárne dni

Európske Solárne Dni sú najväčšou osvetovou kampaňou zameranou na využívanie solárnej energie v Európe, ktorá v posledných ročníkoch dokázala osloviť stovky tisíc ľudí vo viac ako 20-tich štátoch.

Albert Einstein

(* 14. marec 1879, Ulm – † 18. apríl 1955, Princeton), bol fyzik

V roku 1905 Albert Einstein vypracoval teóriu, podľa ktorej energia nie je v elektromegnetickom vlnení rozložená spojito, ale elektromegnetické vlnenie je tok kvánt, ktoré sú samostatnými fyzikálnimi objektami. Tieto kvantá elektromagnetického žiarenia dostali názov fotóny.

Technológia fotovoltických článkov je založená na využívaní fotoelektrického javu.

Čo je to fotoelektrický jav?

Je to uvoľňovanie elektrónov vo vnútri látky, alebo z jej povrchu účinkom elektromagnetického vlnenia.
Existujú dva druhy fotoelektrického javu:

• vonkajší fotoelektrický jav - elektrón účinkom dopadajúceho elektromagnetického vlnenia opustí látku - nastane fotoelektrická emisia.
• vnútorný fotoelektrický jav - elektrón sa účinkom dopadajúceho elektromegnetického vlnenia uvoľní z väzby, ale zostane v látke.

Čo je to fotovoltika?/ fotovoltaika

Fotovoltika znamená elektrické napätie vyrábané prostredníctvom svetla.

Aký je princíp činnosti fotovoltiky?

Fotovoltický jav existuje v plynoch, kvapalinách i tuhých látkach, ale hovoríme o ňom najmä v súvislosti s polovodičmi, pretože tam sa dosahujú účinnosti vhodné aj na energetickú premenu. Absorpciou dopadajúceho žiarenia sa vytvoria v polovodiči záporné a kladné nosiče náboja. Je nevyhnutné, aby žiarenie malo určitú energiu, ktorej veľkosť závisí od druhu polovodičového materiálu. Je zároveň potrebné, aby absorpčný polovodičový materiál mal určitú hrúbku, ktorá tak isto závisí od druhu použitého materiálu. Osobitne výhodné pre slnečnú energetiku budú materiály, ktoré už pri nepatrných hrúbkach sú schopné zachytiť žiarenie a vytvoriť elektrónovo - dierový pár. Aby nenastala spätná rekombinácia vytvorených nosičov náboja, musia sa od seba oddeliť vytvorením P-N priechodu. Potenciálová bariéra P-N priechodu zabráni rekombinácii elektrónov a dier.